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公开(公告)号:CN113555348A
公开(公告)日:2021-10-26
申请号:CN202110114802.5
申请日:2021-01-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/64 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01Q1/22
Abstract: 一种半导体设备可以包括:基板、掩埋在基板中的第一半导体芯片、第一天线图案、第二天线图案和外部端子。基板的底表面可以包括彼此间隔开的第一区和第二区。第一半导体芯片可以具有第一有源表面,第一有源表面朝向基板的核心部的顶表面。第一天线图案可以设置在基板的顶表面上,并且电连接到第一半导体芯片。外部端子可以设置在基板的底表面的第一区上,并且第二天线图案可以设置在基板的底表面的第二区上。
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公开(公告)号:CN114068461A
公开(公告)日:2022-02-18
申请号:CN202110484044.6
申请日:2021-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L23/535
Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括:第一再分布结构,所述第一再分布结构包括第一再分布图案;第一半导体芯片,所述第一半导体芯片位于所述第一再分布结构上,所述第一半导体芯片包括具有第一表面和第二表面的半导体衬底、位于所述半导体衬底的所述第一表面上并且包括第一互连图案的第一后道(BEOL)结构、以及位于所述半导体衬底的所述第二表面上并且包括第二互连图案的第二BEOL结构;模制层,所述模制层覆盖所述第一半导体芯片的侧壁;第二再分布结构,所述第二再分布结构位于所述第一半导体芯片和所述模制层上并且包括电连接到所述第二互连图案的第二再分布图案。
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公开(公告)号:CN113013151A
公开(公告)日:2021-06-22
申请号:CN202011175741.5
申请日:2020-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括:封装基板;逻辑芯片,所述逻辑芯片堆叠在所述封装基板上并包括至少一个逻辑元件;以及堆叠结构。所述堆叠结构包括:集成电压调节器(IVR)芯片,所述IVR芯片包括调节所述至少一个逻辑元件的电压的电压调节电路;以及无源元件芯片,所述无源元件芯片堆叠在所述IVR芯片上并包括电感器。
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公开(公告)号:CN102487059A
公开(公告)日:2012-06-06
申请号:CN201110402818.2
申请日:2011-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L21/50
CPC classification number: H01L25/50 , H01L23/3128 , H01L23/5226 , H01L23/552 , H01L24/11 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1052 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2225/1088 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1436 , H01L2924/1438 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 提供了一种堆叠式封装结构。该堆叠式封装结构包括堆叠式封装件以及围绕该堆叠式封装件的侧表面和顶表面的电磁屏蔽层,所述堆叠式封装件包括:下半导体封装件;上半导体封装件,设置在下半导体封装件上,并与下半导体封装件隔开预定距离;封装件间连接部,将下半导体封装件和上半导体封装件电连接,同时支撑下半导体封装件和上半导体封装件之间的空间;绝缘层,至少设置在封装件间连接部的外部,并填充下半导体封装件和上半导体封装件之间的空间。
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公开(公告)号:CN119126313A
公开(公告)日:2024-12-13
申请号:CN202410178525.8
申请日:2024-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02B6/42
Abstract: 提供了一种半导体封装,包括:封装衬底;连接衬底,安装在封装衬底上,并且包括第一导电连接结构;第一集成电路器件,安装在封装衬底上;以及第二集成电路器件,设置在连接衬底和第一集成电路器件上,并且包括与第一集成电路器件重叠的第一部分和与连接衬底重叠的第二部分,其中,第一集成电路器件和第二集成电路器件之一包括附接有光纤的光子集成电路器件,并且第一集成电路器件和第二集成电路器件中的另一个包括电子集成电路器件,并且其中,第二集成电路器件经由连接衬底的第一导电连接结构电连接到封装衬底。
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公开(公告)号:CN118248641A
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN202311772740.2
申请日:2023-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H10B80/00
Abstract: 一种半导体封装件包括:封装基板;桥接结构,堆叠在所述封装基板上;第一模制构件,围绕所述桥接结构的侧表面;迹线图案,沿着所述桥接结构的上表面和所述第一模制构件的上表面延伸;通路图案,穿透所述第一模制构件并且将所述封装基板和所述迹线图案彼此电连接;以及第一半导体芯片和第二半导体芯片,均堆叠在所述第一模制构件的上表面上并且通过所述桥接结构彼此电连接。所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片沿着与所述封装基板的上表面平行的第一方向布置,并且所述迹线图案在所述第一方向上延伸并且电连接到所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的至少一者。
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