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公开(公告)号：CN110707064B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201810818358.3
申请日：2018-07-24
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该半导体器件包括：单极性部件，该单极性部件至少包括第一外延层和第一基板；以及旁路部件，该旁路部件至少包括第二外延层和第二基板，且该单极性部件和该旁路部件并联；其中，该单极性部件的厚度与该旁路部件的厚度之差小于或等于预定值。
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公开(公告)号：CN110707064A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201810818358.3
申请日：2018-07-24
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该半导体器件包括：单极性部件，该单极性部件至少包括第一外延层和第一基板；以及旁路部件，该旁路部件至少包括第二外延层和第二基板，且该单极性部件和该旁路部件并联；其中，该单极性部件的厚度与该旁路部件的厚度之差小于或等于预定值。
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公开(公告)号：CN110707076B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201810816627.2
申请日：2018-07-24
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该半导体器件包括：单极性部件，该单极性部件至少包括：外延层；过渡层，该过渡层连接到该外延层；以及旁路部件，该旁路部件连接到该过渡层；其中，该单极性部件和该旁路部件并联，并且该过渡层配置在该单极性部件与该旁路部件之间。
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公开(公告)号：CN110707076A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201810816627.2
申请日：2018-07-24
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该半导体器件包括：单极性部件，该单极性部件至少包括：外延层；过渡层，该过渡层连接到该外延层；以及旁路部件，该旁路部件连接到该过渡层；其中，该单极性部件和该旁路部件并联，并且该过渡层配置在该单极性部件与该旁路部件之间。
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