微细金属线状体
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115943004A

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202180044418.0

    申请日:2021-07-06

    Abstract: 本发明提供烧结温度比以往低的微细金属线状体。微细金属线状体的长度为0.5μm以上且200μm以下,粗细为30nm以上且10μm以下。将构成微细金属线状体的金属的晶体的沿着该微细金属线状体的延伸方向的长度设为X、将沿着与该方向正交的方向的长度设为Y时,在将该微细金属线状体沿着其延伸方向将长度四等分时的三处边界区域处,X相对于Y的比即X/Y的值为4以下。

    荧光体及其制造方法、包含荧光体的发光元件以及发光装置

    公开(公告)号:CN117120578A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202180096022.0

    申请日:2021-12-10

    Abstract: 荧光体包含以MGa2S4(式中,M包含选自由Ba、Sr和Ca组成的组中的至少1种元素。)表示的晶体和成为发光中心的元素A,在通过使用CuKα射线的X射线衍射装置测定的X射线衍射图案中,在2θ=27.6°以上且28.3°以下的范围以及2θ=28.45°以上且28.75°以下的范围观察到衍射峰。另外,荧光体的制造方法将包含镓元素(Ga)、硫元素(S)、元素M(元素M包含选自由Ba、Sr和Ca组成的组中的至少1种。)以及成为发光中心的元素A的原料组合物在其一部分熔融的状态下进行焙烧。另外,本发明还提供具备包含上述荧光体的发光元件以及具备激发源的发光装置。

    荧光体
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107109218B

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201680004613.X

    申请日:2016-02-10

    Abstract: 本发明提供被宽频带的可见光激发、能够发出高强度的近红外光的新的荧光体。提出了一种荧光体,其特征在于,包含式(1):MCuSi2O6(式中的M包含Ba、Sr及Ca中的1种或2种以上)所示的晶相和式(2):MCuSi4O10(式中的M包含Ba、Sr及Ca中的1种或2种以上)所示的晶相,并且,在通过使用了CuKα射线的粉末X射线衍射测定(XRD)得到的XRD图案中,MCuSi4O10的衍射峰强度相对于MCuSi2O6的衍射峰强度的比率β为0

    荧光体
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107109218A

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201680004613.X

    申请日:2016-02-10

    Abstract: 本发明提供被宽频带的可见光激发、能够发出高强度的近红外光的新的荧光体。提出了一种荧光体,其特征在于,包含式(1):MCuSi2O6(式中的M包含Ba、Sr及Ca中的1种或2种以上)所示的晶相和式(2):MCuSi4O10(式中的M包含Ba、Sr及Ca中的1种或2种以上)所示的晶相,并且,在通过使用了CuKα射线的粉末X射线衍射测定(XRD)得到的XRD图案中,MCuSi4O10的衍射峰强度相对于MCuSi2O6的衍射峰强度的比率β为0

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