- 专利标题： Transistor design for use in advanced nanometer flash memory devices
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申请号： US15003811申请日： 2016-01-22
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公开(公告)号： US09747986B2公开(公告)日： 2017-08-29
- 发明人: Hieu Van Tran , Hung Quoc Nguyen , Anh Ly , Thuan Vu
- 申请人： Silicon Storage Technology, Inc.
- 申请人地址： US CA San Jose
- 专利权人： Silicon Storage Technology, Inc.
- 当前专利权人： Silicon Storage Technology, Inc.
- 当前专利权人地址： US CA San Jose
- 代理机构： DLA Piper LLP (US)
- 主分类号： G06F17/50
- IPC分类号： G06F17/50 ; G11C16/08 ; G11C11/16 ; G11C13/00 ; G11C16/28
摘要：
Improved PMOS and NMOS transistor designs for sensing circuitry use in advanced nanometer flash memory devices are disclosed.
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