发明授权
- 专利标题： Miniaturized semiconductor device
- 专利标题（中）： 小型半导体器件
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申请号： US14236228申请日： 2013-08-30
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公开(公告)号： US09159715B2公开(公告)日： 2015-10-13
- 发明人: Fumikazu Harazono
- 申请人： Micro Module Technology Co., Ltd.
- 申请人地址： JP Yokohama-shi
- 专利权人： Micro Module Technology Co., Ltd.
- 当前专利权人： Micro Module Technology Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Yokohama-shi
- 代理机构： Crowell & Moring LLP
- 优先权： JP2012-205618 20120919
- 国际申请： PCT/JP2013/073335 WO 20130830
- 国际公布： WO2014/045842 WO 20140327
- 主分类号： H01L25/18
- IPC分类号： H01L25/18 ; H01L23/528 ; H01L23/367 ; H01L23/31 ; H01L29/78 ; H01L29/739 ; H01L29/861
摘要：
To realize further miniaturization of a semiconductor device.The semiconductor device 10 is provided with a switching element (FET 14) provided on a substrate 18, a first electrode (electrode 13) provided on an opposite side of the substrate 18 interposing the switching element, a diode 12 provided on an opposite side of the switching element interposing the first electrode, and a second electrode (electrode 11) provided on an opposite side of the first electrode interposing the diode 12.
公开/授权文献
- US20150206864A1 Semiconductor Device 公开/授权日：2015-07-23
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IPC分类:
