发明授权
- 专利标题： Method for improving anti-radiation performance of SOI structure
- 专利标题（中）： 提高SOI结构抗辐射性能的方法
-
申请号： US14364984申请日： 2012-10-25
-
公开(公告)号： US09111995B2公开(公告)日： 2015-08-18
- 发明人: Yinxue Lv , Jinshun Bi , Jiajun Luo , Zhengsheng Han , Tianchun Ye
- 申请人： Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences
- 申请人地址： CN Beijing
- 专利权人： Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences
- 当前专利权人： Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences
- 当前专利权人地址： CN Beijing
- 代理机构： Osha Liang LLP
- 优先权： CN201110418276 20111214
- 国际申请： PCT/CN2012/083474 WO 20121025
- 国际公布： WO2013/086902 WO 20130620
- 主分类号： H01L21/762
- IPC分类号： H01L21/762 ; H01L21/265 ; H01L21/324
摘要：
A method for improving anti-radiation performance of SOI structure that includes implementing particle implantations of high-energy neutrons, protons and γ-rays to a buried oxide layer of an SOI structure, and then performing annealing process. The high-energy particle implantation introduces displacement damage to the buried oxide layer of the SOI structure.
公开/授权文献
信息查询
IPC分类:
