公开(公告)号：US09111995B2

公开(公告)日：2015-08-18

申请号：US14364984

申请日：2012-10-25

申请人： Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

发明人： Yinxue Lv ,  Jinshun Bi ,  Jiajun Luo ,  Zhengsheng Han ,  Tianchun Ye

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/76243 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26533 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/324 ,  H01L21/7624

摘要： A method for improving anti-radiation performance of SOI structure that includes implementing particle implantations of high-energy neutrons, protons and γ-rays to a buried oxide layer of an SOI structure, and then performing annealing process. The high-energy particle implantation introduces displacement damage to the buried oxide layer of the SOI structure.

摘要翻译： 一种用于提高SOI结构的抗辐射性能的方法，其包括将高能中子，质子和γ射线的粒子注入到SOI结构的掩埋氧化物层，然后进行退火处理。 高能粒子注入对SOI结构的掩埋氧化层引入位移损伤。

公开(公告)号：US20140349463A1

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：US14364984

申请日：2012-10-25

申请人： Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

发明人： Yinxue Lv ,  Jinshun Bi ,  Jiajun Luo ,  Zhengsheng Han ,  Tianchun Ye

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L21/76243 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26533 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/324 ,  H01L21/7624

摘要： The present invention provides a method for improving anti-radiation performance of SOI structure comprising following steps: implementing particle implantations of high-energy neutrons, protons and γ-rays to an SOI structure, and then performing annealing process. The present invention aims to improving anti-radiation performance of SOI devices by means of introducing displacement damage into a buried oxide layer through implantation of high-energy particles.

摘要翻译： 本发明提供一种提高SOI结构抗辐射性能的方法，包括以下步骤：将高能中子，质子和γ射线的粒子注入到SOI结构中，然后进行退火处理。 本发明旨在通过植入高能粒子将置换损伤引入掩埋氧化物层来提高SOI器件的抗辐射性能。