- 专利标题： POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
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申请号： US16800478申请日： 2020-02-25
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公开(公告)号： US20200285152A1公开(公告)日： 2020-09-10
- 发明人: Yoshinori Matsui , Masayoshi Sagehashi , Tatsushi Kaneko , Akihiro Seki , Satoshi Watanabe
- 申请人： Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- 当前专利权人： Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 优先权： com.zzzhc.datahub.patent.etl.us.BibliographicData$PriorityClaim@71772c48
- 主分类号： G03F7/039
- IPC分类号： G03F7/039 ; G03F7/004 ; C07D303/40 ; C08F220/18 ; C08F220/28
摘要：
A positive resist composition is provided comprising two onium salts, a base polymer comprising acid labile group-containing recurring units, and an organic solvent. The positive resist composition forms a pattern having PED stability and improved properties including DOF, LWR, and controlled footing profile.
公开/授权文献
- US11579529B2 Positive resist composition and patterning process 公开/授权日：2023-02-14
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