- 专利标题： Nitride-based semiconductor device and method of manufacturing the same
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申请号： US17840661申请日： 2022-06-15
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公开(公告)号： US12034051B2公开(公告)日： 2024-07-09
- 发明人: Masahiko Kuraguchi
- 申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- 当前专利权人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Oblon, McClelland, Maier & Neustadt, L.L.P.
- 优先权： JP 05252657 2005.08.31
- 主分类号： H01L29/20
- IPC分类号： H01L29/20 ; H01L29/40 ; H01L29/423 ; H01L29/66 ; H01L29/778 ; H01L29/78
摘要：
The nitride-based semiconductor device includes a carrier traveling layer 1 composed of non-doped AlxGa1-xN (0≤X
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