发明公开
CN1992156A 制造半导体装置的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 制造半导体装置的方法
- 专利标题（英）： Method for manufacturing semiconductor device
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申请号： CN200610151550.9申请日： 2006-09-11
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公开(公告)号： CN1992156A公开(公告)日： 2007-07-04
- 发明人: 李晟求 , 郑载昌
- 申请人： 海力士半导体有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 海力士半导体有限公司
- 当前专利权人： 海力士半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陶凤波
- 优先权： 132109/05 2005.12.28 KR; 69759/06 2006.07.25 KR
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00 ; H01L21/027 ; G03F7/00 ; G03F7/40
摘要：
本发明提供了一种制造半导体装置的方法，其包括在形成包含Si的抗反射膜之后进行O2等离子体处理步骤。
公开/授权文献
- CN100477081C 制造半导体装置的方法 公开/授权日：2009-04-08
IPC分类:
