发明授权
CN1257550C 半导体装置及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体装置及其制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor device and producing method thereof
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申请号： CN03122991.3申请日： 2003-04-23
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公开(公告)号： CN1257550C公开(公告)日： 2006-05-24
- 发明人: 野间崇 , 篠木裕之 , 高井信行 , 北川胜彦 , 德重利洋智 , 太田垣贵康 , 安藤达也 , 沖川满
- 申请人： 三洋电机株式会社
- 申请人地址： 日本国大阪府
- 专利权人： 三洋电机株式会社
- 当前专利权人： 三洋电机株式会社
- 当前专利权人地址： 日本国大阪府
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 汪惠民
- 优先权： 2002-120369 2002.04.23 JP; 2002-185749 2002.06.26 JP
- 主分类号： H01L23/52
- IPC分类号： H01L23/52 ; H01L23/48 ; H01L23/12 ; H01L21/28 ; H01L21/768 ; H01L21/60 ; H01L21/50
摘要：
一种半导体装置及其制造方法，在半导体芯片(2)的表面上形成绝缘膜(6a)，在其绝缘膜(6a)上形成第1布线(5a)。在半导体芯片(2)的表面上粘接玻璃基板(3)，在半导体芯片(3)的侧面以及背面覆盖绝缘膜(16a)。然后，设置与第1布线(5a)的侧面连接、并在半导体芯片(2)的背面上延伸的第2布线(9a)。并且，在第2布线(9a)上形成凸点焊盘等导电端子(8)。从而，可以降低具有球状导电端子的BGA(ball Grid Array)型的半导体装置的成本并提高其可靠性。
公开/授权文献
- CN1453865A 半导体装置及其制造方法 公开/授权日：2003-11-05
IPC分类:
