Invention Grant
- Patent Title: 用于抗蚀剂流动工艺的光致抗蚀剂组合物以及使用所述组合物形成接触孔的方法
- Patent Title (English): Photoresist composition for etch-resistant agent flowing process and method for forming contact hole using the same
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Application No.: CN01115325.3Application Date: 2001-04-19
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Publication No.: CN1249524CPublication Date: 2006-04-05
- Inventor: 金珍秀 , 郑载昌 , 李根守 , 白基镐
- Applicant: 现代电子产业株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 现代电子产业株式会社
- Current Assignee: 现代电子产业株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- Agent 王维玉; 丁业平
- Priority: 20809/2000 2000.04.19 KR
- Main IPC: G03F7/027
- IPC: G03F7/027
Abstract:
本发明提供的光致抗蚀剂组合物包括，其用于抗蚀剂流动工艺中。本发明还提供一种方法，采用所述组合物形成接触孔图形。特别地，本发明的光致抗蚀剂树脂包括两种以上聚合物的混合物。优选地，第一共聚物和第二共聚物的混合物交联，从而防止由于经常发生于常规抗蚀剂流动工艺中的过流引起的接触孔萎陷。此外，本发明的光致抗蚀剂组合物可形成均匀尺寸图形。
Public/Granted literature
- CN1318773A 用于抗蚀剂流动工艺的光致抗蚀剂组合物以及使用所述组合物形成接触孔的方法 Public/Granted day:2001-10-24
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IPC分类:
