具有不同晶体沟道生长方向的半导体器件的制造方法

发明公开

CN1206225A 具有不同晶体沟道生长方向的半导体器件的制造方法失效 - 权利终止

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专利标题： 具有不同晶体沟道生长方向的半导体器件的制造方法
专利标题（英）： Method of manufacturing semiconductor device having diffrent orientations of crystal channel growth
申请号： CN98103874.3

申请日： 1994-08-10
公开(公告)号： CN1206225A

公开(公告)日： 1999-01-27
发明人: 船田文明 , 森田达夫 , 田仲广久 , 张宏勇 , 高山徹
申请人： 株式会社半导体能源研究所 , 夏普公司
申请人地址： 日本神奈川县
专利权人： 株式会社半导体能源研究所,夏普公司
当前专利权人： 株式会社半导体能源研究所,夏普公司
当前专利权人地址： 日本神奈川县
代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
代理商 萧掬昌; 傅康
优先权： 218156/93 1993.08.10 JP
分案原申请号： 941090841
主分类号： H01L21/84
IPC分类号： H01L21/84

摘要：

一种有源矩陈和液晶显示器,其外围电路部分中配置有迁移率高能容许大量导通状态电流流过的TFT,其像素部分中配置有截止状态电流小的TFT。这些性能不同的TFT是采用晶体生长方向平行于衬底的晶体硅薄膜构成的。就是说,令晶体生长方向与载流子流动方向之间形成的角度彼此不同从而控制载流子流动时受到的阻力进而确定TFT的性能。

公开/授权文献

CN1113409C 具有不同晶体沟道生长方向的半导体器件的制造方法公开/授权日：2003-07-02

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84	.....衬底不是半导体的，例如绝缘体