一种半导体装置制造方法包含使用第一原子层沉积，在主动区域上沉积第一薄多晶硅层，其中主动区域包含沟槽；使用第二原子层沉积，在主动区域上沉积第二薄多晶硅层；及使用化学气相沉积，在主动区域上沉积多晶硅层以形成多晶硅结构，其中用于化学气相沉积的气体包含二硅烷，沟槽的底部中的多晶硅层的厚度基本上为零。由于半导体装置制造方法包含第一原子层沉积、第二原子层沉积及化学气相沉积，通过化学气相沉积生长的多晶硅层的厚度自多晶硅层的侧壁的顶部部分至多晶硅层的侧壁的底部部分逐渐缩小，此意指在沟槽的底部处没有生长多晶硅，从而在扩大阵列的面积的同时，消除了在沟槽的底部处造成短路的可能性。