一种半导体结构的制造方法包含以下步骤。形成位元线结构于基板上方。形成第一间隔层于位元线结构的第一侧壁上。形成第二间隔层于第一间隔层的第二侧壁上。形成第三间隔层于第二间隔层的第三侧壁上。对第二间隔层执行氧化工艺，以在第二间隔层中形成氧化部分以及剩余部分，其中氧化部分位于剩余部分与第三间隔层之间。形成第四间隔层于第三间隔层的第四侧壁上。此半导体结构可以在不增加间隔层结构整体厚度的情况下，保持各间隔层厚度的均匀性，并使随后形成的埋入式接触件的体积可以被保持。