Invention Publication
- Patent Title: 一种功率半导体器件及其制备方法
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Application No.: CN202411275377.8Application Date: 2024-09-12
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Publication No.: CN119384001APublication Date: 2025-01-28
- Inventor: 伍震威 , 单建安
- Applicant: 安建科技有限公司
- Applicant Address: 中国香港沙田科学园科技大道西16号16W大楼9楼912-913室
- Assignee: 安建科技有限公司
- Current Assignee: 安建科技有限公司
- Current Assignee Address: 中国香港沙田科学园科技大道西16号16W大楼9楼912-913室
- Agency: 深圳市千纳专利代理有限公司
- Agent 袁燕清
- Main IPC: H10D30/47
- IPC: H10D30/47 ; H10D30/01 ; H10D62/85 ; H10D62/10
Abstract:
一种功率半导体器件及其制备方法，本发明涉及于功率半导体器件，本发明在栅极金属层下方P型盖层上方的两侧边缘位置设置分隔层，分隔层由带能隙大于P型盖层的能带隙的材料或其组合组成，分隔层的临界电场大于P型盖层的临界电场。当栅极正向受压时,栅极金属层下方分隔层表面的角落位置会形成尖峰电场，由于分隔层的临界电场大于P型盖层的临界电场，提升了器件的栅极击穿电压及可靠性。
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