- 专利标题: 一种大厚度光刻胶微结构的制备方法
-
申请号: CN202411440930.9申请日: 2024-10-16
-
公开(公告)号: CN118963064A公开(公告)日: 2024-11-15
- 发明人: 杨波 , 湛治强 , 付秋菠 , 阎大伟 , 吴之清 , 雷凡 , 尹强 , 张志铭
- 申请人: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
- 申请人地址: 四川省绵阳市科学城绵山路64号
- 专利权人: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
- 当前专利权人: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
- 当前专利权人地址: 四川省绵阳市科学城绵山路64号
- 代理机构: 绵阳远卓弘睿知识产权代理事务所(普通合伙) 51371专利代理师贾晓燕
- 主分类号: G03F7/16
- IPC分类号: G03F7/16 ; G03F7/00
摘要:
本发明公开了一种大厚度光刻胶微结构的制备方法,包括:对基底进行无水乙醇超声清洗、纯水冲洗、高纯氮气吹干,在基底上采用磁控溅射法镀金属种子层,并采用六甲基二硅氮烷(HDMS)进行表面预处理;将干膜光刻胶在常温静置后预热处理,再对表面进行氩等离子体处理,采用真空吸附将基底固定在底板上,用滚轮贴覆干膜光刻胶,重复贴覆多次;贴覆后完成干膜光刻胶曝光、显影,然后清洗、后烘,最后得到光刻胶微结构。本发明采用干膜光刻胶多层贴覆;采用滚轮对单层干膜光刻胶热处理,可使膜层贴附平整并释放内应力;在每层干膜光刻胶贴覆之前,采用氩等离子体对干膜光刻胶表面预处理,以增强膜层之间的结合力,进一步提高成型质量。
IPC分类: