本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供衬底，衬底包括第一元素；于衬底上形成超晶格结构，超晶格结构包括由下至上依次交替叠置的第一外延层和第二外延层；其中，第一外延层为包括第一元素、第二元素和掺杂元素的掺杂化合物层，第二元素的原子直径大于第一元素的原子直径，掺杂元素的原子直径小于第一元素的原子直径；第二外延层包括第一元素。由于在第一外延层内引入了原子半径比第一元素小的掺杂元素进行掺杂，掺杂元素代替了部分第二元素和/或部分第一元素的位置，从而能够减少超晶格结构在形成过程中的应力积累以降低超晶格结构的失配位错，从而能够避免芯片的可靠性下降。