本发明公开了一种双P阱结构的平面型碳化硅器件，属于碳化硅器件技术领域；包括衬底层；外延层，位于衬底层的上方，外延层内设有第一P阱区和位于第一P阱区外侧的第二P阱区，外延层的上表面至少部分设有栅氧化层；多晶硅栅，位于栅氧化层的上方；介质层，与栅氧化层相接触并包裹多晶硅栅；源极层，设于介质层上方以及介质层之间的沟槽内；漏极层，位于衬底层的下方。上述技术方案的有益效果是：提供一种平面型碳化硅器件，能够降低器件的跨导，在感性负载关断时降低尖峰电压，提高关断速度，降低关断损耗。