本申请实施例提供了一种场效应管及其制造方法、存储器。在本申请实施例所提供的场效应管中，第一材料与氧的结合能力大于第二材料与氧的结合能力，从而使得半导体结构中源接触区域的氧空位密度大于漏接触区域的氧空位密度，使得源接触区域和漏接触区域的载流子密度不同，从而能够避免短沟道效应，从而能够提高场效应管的正向阈值电压。而且，第一材料与氧的结合能力和第二材料与氧的结合能力，均大于半导体结构的金属氧化物半导体材料与氧的结合能力，从而能够降低第一接触层与源接触区域之间的电阻以及降低第二接触层与漏接触区域之间的电阻，能够降低源极和漏极与半导体结构之间的电阻，从而有助于提高场效应管的驱动电流。