Invention Publication
- Patent Title: 一种应力作用下的异质结隧穿电流模拟研究方法
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Application No.: CN202410592120.9Application Date: 2024-05-14
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Publication No.: CN118332873APublication Date: 2024-07-12
- Inventor: 张甲 , 李松霖 , 梁帅 , 吴博轩
- Applicant: 哈尔滨工业大学
- Applicant Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- Assignee: 哈尔滨工业大学
- Current Assignee: 哈尔滨工业大学
- Current Assignee Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- Agency: 黑龙江龙权知识产权代理有限公司
- Agent 郭冠亚
- Main IPC: G06F30/23
- IPC: G06F30/23 ; G16C20/30 ; G06F119/14

Abstract:
本发明涉及半导体集成电路制造领域,更具体的说是一种应力作用下的异质结隧穿电流模拟研究方法,步骤S1:基于COMSOL仿真软件建立异质结薄膜复杂应力状态下的模型,仿真获取异质结薄膜内应力、应变信息;步骤S2:在Materials Studio软件中建立隧穿异质结多层晶体模型,调用CASTEP模块基于第一性原理对晶体模型进行几何优化;步骤S3:将COMSOL仿真软件获取的异质结薄膜内应力分布信息带入CASTEP模块中进行能带结构计算;步骤S4:获得隧穿势垒高度的数值大小,从而获取隧穿电流的改变。本发明将多种模拟计算方法结合,依次进行宏观力学分析和微观电子状态分析,解决了在复杂宏观应力状态下,现有方法无法实现异质结隧穿电流跨尺度模拟研究的技术难题。
Public/Granted literature
- CN118332873B 一种应力作用下的异质结隧穿电流模拟研究方法 Public/Granted day:2024-10-11
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