提供一种增高了第二元件芯片中的元件集成度的半导体器件。根据本技术的半导体器件包括：至少一个第一元件芯片；以及至少一个芯片，堆叠在第一元件芯片上并小于第一元件芯片。至少一个芯片包括至少一个第二元件芯片。第一元件芯片具有堆叠有第一半导体衬底和第一布线层的堆叠结构。第二元件芯片具有堆叠有第二半导体衬底和第二布线层的堆叠结构。第一布线层和第二布线层面对地接合。该半导体器件还包括：外部连接端子，布置在比后表面更远离第一元件芯片的位置，后表面是芯片的在参考堆叠方向与第一元件芯片侧相对的一侧上的表面；和至少部分地设置在芯片附近并且电连接第一布线层和外部连接端子的布线。