一种具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统和控制方法

发明授权

CN117727662B 一种具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统和控制方法有权

摘要：

本发明公开了一种具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统和控制方法，包括：加热装置、检测模块，刻蚀模块及调节模块，对晶圆刻蚀过程进行检测，根据对晶圆的刻蚀情况，对初始刻蚀条件进行优化调整，便于提高刻蚀速率及刻蚀准确性。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67	.专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置