本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底、阱区、体区、漂移区、源极、漏极、栅极和场板，场板形成于漂移区内，场板形成区域为通过刻蚀工艺形成的碗状凹槽，场板包括内壁氧化层和氧化填充层，内壁氧化层形成于碗状凹槽贴近漂移区的槽壁和槽底，内壁氧化层为平滑的层状结构，在碗状凹槽内形成碗状填充区域，氧化填充层填充于碗状填充区域内，内壁氧化层的致密性大于氧化填充层的致密性。通过本发明提供的晶体管，能够减少场板的尖角结构，不易产生电场集中，提高击穿电压，改善可靠性，减小器件面积。