本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括：提供初始结构；在初始结构上依次形成第一自由层和第一铁磁耦合层；使用第一类型离子作为溅射离子，以将靶材中的预设原子溅射至第一铁磁耦合层的顶面，在第一铁磁耦合层的顶面形成第二自由层；热处理第二自由层，激活第二自由层中的硼元素。在本公开中，在形成第二自由层的过程中，使用第一类型离子将靶材中的预设原子溅射至第一铁磁耦合层的顶面，第一类型离子对靶材中的硼原子具有较高的选择比，能够增大靶材中溅射出的硼原子，由于第二自由层中硼元素含量越多矫顽力越大，且矫顽力大小与高温磁免疫能力正相关，从而实现了提高半导体结构的高温磁免疫能力。