发明公开
CN117098402A 集成芯片及其形成方法
审中-实审
- 专利标题： 集成芯片及其形成方法
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申请号： CN202310942696.9申请日： 2023-07-28
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公开(公告)号： CN117098402A公开(公告)日： 2023-11-21
- 发明人: 林子羽 , 张耀文
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理商 章社杲; 李伟
- 优先权： 63/393,347 2022.07.29 US
- 主分类号： H10B53/30
- IPC分类号： H10B53/30
摘要：
本发明涉及集成芯片。集成芯片包括设置在衬底上方的介电结构内的下部电极。铁电数据存储结构设置在下部电极上方，并且上部电极设置在铁电数据存储结构上方。一个或多个受应力的侧壁间隔件布置在上部电极的相对侧上。铁电数据存储结构具有从一个或多个受应力的侧壁间隔件正下方至一个或多个受应力的侧壁间隔件的横向外侧变化的正交相浓度。本申请的实施例还涉及形成集成芯片的方法。
