本申请提供了一种碳化硅芯片表层的去层的方法，包括步骤：通过乙醇胺溶液去除碳化硅芯片的钝化层；通过硝酸去除所述碳化硅芯片的铜箔层、银烧结层和镍钯金层；对所述碳化硅芯片进行电性测试；通过王水对所述碳化硅芯片的铝铜层进行去除，得到表层去层后的碳化硅芯片。通过分步去除碳化硅芯片的不同金属层，解决了一次去除所有层而导致存在大量脏污影响去除效率，在去除过程中不损伤碳化硅芯片本体；同时，在去除中间进行电性测试，可明确哪一金属层对芯片电性参数造成影响，不同的芯片去层程度可满足特定失效分析需求，如电性能测试或热点定位分析。