- 专利标题: 一种具有石墨化梯度中空碳/钴微球吸波材料的制备方法及在吸波材料中应用
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申请号: CN202310991220.4申请日: 2023-08-08
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公开(公告)号: CN117023555B公开(公告)日: 2024-06-04
- 发明人: 杜耘辰 , 盖莉雪 , 韩喜江 , 徐平
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨市松花江联合专利商标代理有限公司
- 代理商 高志光
- 主分类号: C01B32/05
- IPC分类号: C01B32/05 ; C01B32/205 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00 ; B22F9/24 ; B22F1/12 ; H01Q17/00 ; H05K9/00
摘要:
一种具有石墨化梯度中空碳/钴微球吸波材料的制备方法及在吸波材料中应用,本发明涉及电磁波吸收材料技术领域。本发明的目的是要解决现有方法制备的中空碳微球步骤繁琐以及阻抗不匹配,制备成本高且对环境有害,限制其应用的问题。方法:本发明在吸附钴离子的甲醛‑三聚氰胺树脂球表面依次包覆聚多巴胺和酚醛树脂层,通过一步热解过程,得到了具有石墨化程度差异的中空双壳层碳/钴微球复合材料。本发明得到的中空碳/钴微球吸波材料能有效避免因使用模板造成环境污染和高昂成本的问题,且这种具有石墨化程度差异的双层碳壳也能够优化材料整体的阻抗匹配特性从而提升吸波性能。本发明制备的材料用于制作轻质高效的电磁波吸收涂层。
公开/授权文献
- CN117023555A 一种具有石墨化梯度中空碳/钴微球吸波材料的制备方法及在吸波材料中应用 公开/授权日:2023-11-10