发明公开
- 专利标题： 3D-NAND器件中用于字线分离的方法
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申请号： CN202310532735.8申请日： 2018-05-22
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公开(公告)号： CN116546817A公开(公告)日： 2023-08-04
- 发明人: 陈一宏 , 段子青 , A·B·玛里克 , K·陈
- 申请人： 应用材料公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 侯颖媖; 张鑫
- 优先权： 62/513,371 20170531 US
- 主分类号： H10B41/27
- IPC分类号： H10B41/27 ; H10B41/35 ; H10B41/41 ; H10B43/27 ; H10B43/35 ; H10B43/40
摘要：
描述半导体器件(例如，3D‑NAND)中字线分离的方法。金属膜沉积在字线中及在间隔开的氧化物层的堆叠的表面上。通过高温氧化及蚀刻氧化物，或通过以单层方式氧化表面及蚀刻氧化物的低温原子层蚀刻，来移除金属膜。在移除金属覆盖层之后，字线被金属膜填充。
