- 专利标题: 一种适用于大尺寸氮化铝晶体生长的原料装进和取出方法
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申请号: CN202310226703.5申请日: 2023-03-10
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公开(公告)号: CN116427035A公开(公告)日: 2023-07-14
- 发明人: 殷利迎 , 赖占平 , 程红娟 , 张丽 , 王增华 , 史月增 , 郝建民 , 王英民
- 申请人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 申请人地址: 天津市河西区洞庭路26号
- 专利权人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 当前专利权人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 当前专利权人地址: 天津市河西区洞庭路26号
- 代理机构: 天津中环专利商标代理有限公司
- 代理商 王凤英
- 主分类号: C30B29/40
- IPC分类号: C30B29/40 ; C30B23/00
摘要:
本发明公开了一种适用于大尺寸氮化铝晶体生长的原料装进和取出方法,该方法将一个倒置的坩埚固定在PVT炉内,将原料块放在形状与挡板中心孔形状相同且开有中心孔的原料支撑板上;用支撑杆将原料支撑板自坩埚下方开口处送至上方,并保持原料支撑板外轮廓与挡板中心孔取向的一致;整体旋转一定角度置于挡板上;将籽晶固定在坩埚的下盖上,盖严坩埚下开口,装料过程完成;待生长结束后,取下下盖,用支撑杆深入至原料支撑板底部并顶起旋转一定角度,下移支撑杆,原料支撑板和原料块整体下移,直至从坩埚下开口取出。本发明可以避免频繁移动大重量坩埚的操作,大大简化原料及籽晶的放置和取出,有望实现对气体组分输运以及生长速率的简单控制。
公开/授权文献
- CN116427035B 一种适用于大尺寸氮化铝晶体生长的原料装进和取出方法 公开/授权日:2024-05-17
IPC分类: