本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种高电流密度的联合钝化背接触电池及其制备方法，包括具有正面和背面的硅基底，设置在背面的第一半导体层、第二半导体层，以及设置在正面的正面钝化层和减反射层，所述第一半导体层包括隧穿氧化层和第一掺杂硅晶层，所述第二半导体层包括本征硅层和第二掺杂硅层；所述第一掺杂硅晶层的远离硅基底的一侧设有第一重掺杂区，所述硅基底的正面设有第二浅掺杂区，所述第二浅掺杂区与所述正面钝化层接触，且第一重掺杂区与第二浅掺杂区的面掺杂指数的比值为10‑40:1，第二浅掺杂区与隧穿氧化层的厚度之比为2‑10:1。本发明能够在保证具有高电流密度的同时，无需设置非晶硅或微晶硅层。