- 专利标题: 一种基于Ni-Mn-Sn形状记忆合金薄膜的多功能太赫兹超材料吸收器
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申请号: CN202210592509.4申请日: 2022-05-27
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公开(公告)号: CN115189145B公开(公告)日: 2024-07-09
- 发明人: 张琨 , 刘锐 , 谭昌龙 , 王晓川 , 刘瑞娴 , 田晓华
- 申请人: 哈尔滨理工大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
- 专利权人: 哈尔滨理工大学
- 当前专利权人: 哈尔滨理工大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
- 代理机构: 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- 代理商 李红媛
- 主分类号: H01Q17/00
- IPC分类号: H01Q17/00 ; H01Q15/00 ; G02F1/17 ; G02B5/00
摘要:
一种基于Ni‑Mn‑Sn形状记忆合金薄膜的多功能太赫兹超材料吸收器。本发明涉及太赫兹超材料功能器件领域,具体涉及一种基于Ni‑Mn‑Sn形状记忆合金薄膜的多功能太赫兹超材料吸收器。本发明是为解决现有太赫兹超材料结构复杂、调控方式有限、功能单一的问题。它由谐振结构薄膜层、光激硅层、介电质层和接地金属层组成;所述谐振结构薄膜层由N×N个结构单元周期性阵列而成;单个结构单元由Cayley树金属谐振器和十字形谐振器组成;一阶树形分支和二阶树形分支以十字形谐振器的中心对称,两个三阶树形分支以十字形谐振器的中心对称。本发明用于可动态调控的多功能太赫兹超材料吸收器。
公开/授权文献
- CN115189145A 一种基于Ni-Mn-Sn形状记忆合金薄膜的多功能太赫兹超材料吸收器 公开/授权日:2022-10-14