发明公开
- 专利标题： 一种低二次电子发射系数的膜层及其制备方法
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申请号： CN202110697294.8申请日： 2021-06-23
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公开(公告)号： CN113684453A公开(公告)日： 2021-11-23
- 发明人: 何鋆 , 白春江 , 苗光辉 , 胡天存 , 张恒 , 黄浩 , 陈国宇
- 申请人： 西安空间无线电技术研究所
- 申请人地址： 陕西省西安市长安区航天基地东长安街504号
- 专利权人： 西安空间无线电技术研究所
- 当前专利权人： 西安空间无线电技术研究所
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市长安区航天基地东长安街504号
- 代理机构： 中国航天科技专利中心
- 代理商 张丽娜
- 主分类号： C23C14/24
- IPC分类号： C23C14/24 ; C23C14/06 ; C23C14/54
摘要：
本发明通过真空蒸镀技术，在基底材料表面制备富勒烯功能薄膜，实现了一种低二次电子发射系数的膜层，通过精确控制富勒烯薄膜的制备条件，大幅降低了材料表面二次电子发射系数。本发明提出的方法成本低，与部件制造工艺兼容，适用于大面积制备，在降低二次电子发射系数的同时确保了部件电性能的一致性，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。
公开/授权文献
- CN113684453B 一种低二次电子发射系数的膜层及其制备方法 公开/授权日：2023-07-28
IPC分类:
