Invention Grant
- Patent Title: 封装结构及其制造方法
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Application No.: CN202011225028.7Application Date: 2020-11-05
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Publication No.: CN113130437BPublication Date: 2023-07-25
- Inventor: 张简上煜 , 林南君 , 徐宏欣
- Applicant: 力成科技股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号
- Assignee: 力成科技股份有限公司
- Current Assignee: 力成科技股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号
- Agency: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- Agent 宋兴; 臧建明
- Main IPC: H01L23/498
- IPC: H01L23/498 ; H01L23/485 ; H01L25/065 ; H01L25/16 ; H01L25/18 ; H10B80/00 ; H01L21/48 ; H01L21/60 ; B81C3/00 ; B81B7/02

Abstract:
本发明提供一种封装结构,其包括重布线路结构、第一线路板、第二线路板、第一绝缘体、多个导电端子以及封装件。重布线路结构具有第一连接面及相对于第一连接面的第二连接面。第一线路板及第二线路板设置在第一连接面上且电连接于重布线路结构。第一绝缘体位于第一连接面上且包覆第一线路板及第二线路板。导电端子设置在第一线路板或第二线路板上且电连接于第一线路板或第二线路板。封装件设置在第二连接面上且电连接于重布线路结构。封装件包括至少一芯片、模封体、线路层以及多个导电封装端子。一种封装结构的制造方法亦被提出。
Public/Granted literature
- CN113130437A 封装结构及其制造方法 Public/Granted day:2021-07-16
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IPC分类: