发明授权
- 专利标题: 写辅助电路、器件及其方法
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申请号: CN202010941257.2申请日: 2020-09-09
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公开(公告)号: CN113129962B公开(公告)日: 2024-01-09
- 发明人: 蔡睿哲 , 黄家恩 , 陈家政 , 王奕
- 申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹
- 专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹
- 代理机构: 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理商 章社杲; 李伟
- 优先权: 16/731,357 2019.12.31 US
- 主分类号: G11C11/419
- IPC分类号: G11C11/419 ; G11C11/412
摘要:
公开了一种在位线的近端和远端建立平衡负电压的电路和方法,位线具有连接到位线的多个存储器单元。MOS电容器和金属电容器并联连接。MOS电容器通过第一开关晶体管连接到位线的近端。金属电容器通过第一开关晶体管连接到位线的近端,并且通过第二开关晶体管连接到位线的远端。下降的负升压电压被施加到MOS电容器和金属电容器。当开关晶体管在写入操作期间导通时,MOS电容器和金属电容器都耦合到近端和远端处的电压,并驱动该电压近似等于升压电压,从而提供到位线的平衡电压。本发明的实施例还涉及写辅助电路、器件及其方法。
公开/授权文献
- CN113129962A 写辅助电路、器件及其方法 公开/授权日:2021-07-16
IPC分类: