本发明涉及太阳能电池生产领域，特别涉及双面太阳能电池生产领域。一种新型晶硅SiON双面电池背钝化工艺，在背面晶硅基体上直接制备氮氧化硅层，然后在进行退火，最后再制备氮化硅层；氮氧化硅层为单层膜，采用PECVD的方式沉积，工艺参数为，压力1500‑2000mTorr，温度450‑500℃，功率为8500‑12000W,脉冲开关比为1:10至1:16，所通SiH4/NH3/N2O=1.65/1/4至2.5/1/5,且三种气体SiH4、NH3、N2O总流量需大于7000sccm，时间40‑60s。本发明不仅有效降低了双面电池的背面钝化制造成本，同时创造性的解决钝化SiON膜层变薄后钝化效果变差的问题。