发明授权
- 专利标题： 半导体元件结构及其制备方法
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申请号： CN202010392010.X申请日： 2020-05-11
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公开(公告)号： CN112233980B公开(公告)日： 2024-09-17
- 发明人: 林原园
- 申请人： 南亚科技股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新北市
- 专利权人： 南亚科技股份有限公司
- 当前专利权人： 南亚科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新北市
- 代理机构： 隆天知识产权代理有限公司
- 代理商 谢强; 黄艳
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/78
摘要：
本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该制备方法包括在一基底上形成一环状结构；执行一蚀刻工艺以在该环状结构下形成一环状半导体鳍部；在该基底与该环状半导体鳍部的一底部接触的表面上，形成一下源极/漏极区；形成与该环状半导体鳍部的一内侧壁接触的一内栅极结构，并形成与该环状半导体鳍部的一外侧壁接触的一外栅极结构；以及在该环状半导体鳍部的一上部上形成一上源极/漏极区。
公开/授权文献
- CN112233980A 半导体元件结构及其制备方法 公开/授权日：2021-01-15
IPC分类:
