本发明公开了一种用于单芯片减薄的工装，包括单晶硅片和减薄膜，单晶硅片中心加工有圆孔，待减薄的单颗芯片通过减薄膜固定在圆孔内部；单晶硅片的厚度为待减薄芯片厚度±5μm，圆孔的直径小于90mm，且大于等于待减薄芯片对角线的2倍。本发明进一步公开了一种用于单芯片减薄的方法，首先制备工装，然后利用工装固定芯片，设置减薄机粗磨和精磨参数，实现粗磨减薄和精磨减薄，保证减薄后的芯片厚度、TTV和自身强度满足设计要求。利用本发明中的工装及方法，可高效、稳定的完成单颗芯片的减薄，实现对MPW拼版圆片上不同厚度要求芯片的减薄，方法简单实用、易于实现，可操作性强。