- 专利标题： 一种基于Cu衬底HEMT器件及其制备方法
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申请号： CN201911172837.3申请日： 2019-11-26
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公开(公告)号： CN110808285B公开(公告)日： 2024-08-02
- 发明人: 李国强 , 唐鑫 , 王文樑 , 胡智凯
- 申请人： 华南理工大学
- 申请人地址： 广东省广州市天河区五山路381号
- 专利权人： 华南理工大学
- 当前专利权人： 华南理工大学
- 当前专利权人地址： 广东省广州市天河区五山路381号
- 代理机构： 广州粤高专利商标代理有限公司
- 代理商 何淑珍; 冯振宁
- 主分类号： H01L29/778
- IPC分类号： H01L29/778 ; H01L23/373 ; H01L21/335 ; C23C14/28 ; C23C14/06 ; C23C14/04
摘要：
本发明公开了一种基于Cu衬底HEMT器件及其制备方法，属于HEMT器件领域。所述HEMT器件包括Cu衬底、碳掺杂GaN高阻层、本征GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、栅电极、源电极以及漏电极。本发明采用脉冲激光沉积法，在高热导率的Cu衬底上制得晶体质量优良、异质界面清晰的HEMT氮化物薄膜，包括高掺杂GaN高阻层、本征GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层。同时，基于上述的HEMT氮化物薄膜，成功制备了散热良好、性能稳定的Cu衬底HEMT器件。此外，本发明与传统的CMOS工艺相兼容，在制备过程中无复杂操作和其他有害副产物产生，为未来大功率电子器件热稳定性问题提供解决方案。
公开/授权文献
- CN110808285A 一种基于Cu衬底HEMT器件及其制备方法 公开/授权日：2020-02-18
IPC分类:
