技术问题：提供一种单晶硅的制造方法，其在通过氮掺杂来促进析出的低/无缺陷结晶单晶硅基板以及外延硅晶片中，即使在顶端的低温/短时间的器件工艺流程中也能够形成充分的BMD，并能够以较高的成品率制造具有较高的吸杂能力的晶片。解决方案：一种单晶硅的制造方法，其特征在于，利用切克劳斯基法通过在结晶整面为N‑区域的条件下进行提拉从而使单晶硅生长，以2×1013atoms/cm3以上且3.2×1014atoms/cm3以下的氮浓度掺杂氮，使单晶硅的提拉轴向的结晶中心部的温度梯度Gc与结晶周边部的温度梯度Ge的比为Ge/Gc＞1，与提拉单晶硅时的偏析所导致的氮浓度的增加相应地逐渐地增大Ge/Gc。