- 专利标题: 一种射频微系统中大功率组件的双层相变散热器制作方法
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申请号: CN201811595174.1申请日: 2018-12-25
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公开(公告)号: CN110010565B公开(公告)日: 2020-08-28
- 发明人: 冯光建 , 马飞 , 程明芳 , 王永河 , 郁发新
- 申请人: 浙江集迈科微电子有限公司
- 申请人地址: 浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房
- 专利权人: 浙江集迈科微电子有限公司
- 当前专利权人: 浙江集迈科微电子有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房
- 代理机构: 杭州天昊专利代理事务所
- 代理商 董世博
- 主分类号: H01L23/367
- IPC分类号: H01L23/367 ; H01L23/373 ; H01L23/42
摘要:
本发明公开了一种用于射频微系统中大功率组件的双层相变散热器及其制作方法,具体处理包括如下步骤:101)散热转接板制作步骤、102)射频芯片转接板制作步骤、103)键合步骤;本发明提供新的带走大量热量,达到降低芯片温度的一种用于射频微系统中大功率组件的双层相变散热器及其制作方法。
公开/授权文献
- CN110010565A 一种用于射频微系统中大功率组件的双层相变散热器及其制作方法 公开/授权日:2019-07-12
IPC分类: