本发明公开了基于BP材料的微波谐振器，包括：吸收层、光电子纳米腔、总线波导、源漏栅电极和SOI平台层。其中吸收层、光电子纳米腔、总线波导、源漏栅电极在SOI平台层上依次分布，其特征在于：吸收层采用二维材料黑磷、光电子纳米腔采用Si材料、总线波导采用Si材料，源漏栅电极采用金属Au材料。将微盘中形成的传统WGM与BP的光物质相互作用的增强相结合，并且使得共振波长能够在近红外范围，应用耦合模理论，可以分析BP腔系统与Si微盘谐振腔的相互作用，这有助于推动结合有光学微谐振器的新型近红外(NIR)BP光电器件的发展。