- 专利标题: 基于BP材料的微盘谐振器及其制作方法以及在光电晶体管上的应用
- 专利标题(英): BP material-based micro disc resonator, fabrication method thereof and application of micro disc resonator in photoelectric transistor
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申请号: CN201811547635.8申请日: 2018-12-18
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公开(公告)号: CN109786439A公开(公告)日: 2019-05-21
- 发明人: 刘艳 , 张思清 , 阚杨若颖
- 申请人: 西安电子科技大学
- 申请人地址: 陕西省西安市太白南路2号
- 专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市太白南路2号
- 代理机构: 西安文盛专利代理有限公司
- 代理商 佘文英
- 主分类号: H01L29/06
- IPC分类号: H01L29/06 ; H01L29/12 ; H01L29/78
摘要:
本发明公开了基于BP材料的微波谐振器,包括:吸收层、光电子纳米腔、总线波导、源漏栅电极和SOI平台层。其中吸收层、光电子纳米腔、总线波导、源漏栅电极在SOI平台层上依次分布,其特征在于:吸收层采用二维材料黑磷、光电子纳米腔采用Si材料、总线波导采用Si材料,源漏栅电极采用金属Au材料。将微盘中形成的传统WGM与BP的光物质相互作用的增强相结合,并且使得共振波长能够在近红外范围,应用耦合模理论,可以分析BP腔系统与Si微盘谐振腔的相互作用,这有助于推动结合有光学微谐振器的新型近红外(NIR)BP光电器件的发展。
公开/授权文献
- CN109786439B 基于BP材料的微盘谐振器及其制作方法以及在光电晶体管上的应用 公开/授权日:2021-01-05
IPC分类: