发明公开
CN109585417A 半导体装置
无效 - 撤回
- 专利标题： 半导体装置
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申请号： CN201811087115.3申请日： 2018-09-18
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公开(公告)号： CN109585417A公开(公告)日： 2019-04-05
- 发明人: 刘中伟 , 黄冠达
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市
- 代理机构： 隆天知识产权代理有限公司
- 代理商 黄艳
- 优先权： 62/564,460 2017.09.28 US
- 主分类号： H01L23/528
- IPC分类号： H01L23/528 ; H01L21/768
摘要：
本发明实施例关于半导体装置与其形成方法，更特别关于半导体装置中的层间介电层。在一例中，层间介电层位于基板上，并包含介电物。介电物的介电常数小于约3.3，且介电物的硬度为至少约3GPa。半导体装置亦包含内连线形成于层间介电层中。
IPC分类:
