- 专利标题: 可行列寻址的共面聚焦纳米冷阴极电子源阵列及制作方法
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申请号: CN201711063201.6申请日: 2017-11-02
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公开(公告)号: CN107818899B公开(公告)日: 2019-06-14
- 发明人: 陈军 , 刘垣明 , 赵龙 , 邓少芝 , 许宁生 , 佘峻聪
- 申请人: 中山大学
- 申请人地址: 广东省广州市海珠区新港西路135号
- 专利权人: 中山大学
- 当前专利权人: 中山大学
- 当前专利权人地址: 广东省广州市海珠区新港西路135号
- 代理机构: 广州新诺专利商标事务所有限公司
- 代理商 林玉芳
- 主分类号: H01J1/304
- IPC分类号: H01J1/304 ; H01J9/02
摘要:
本发明公开了一种可行列寻址的共面聚焦纳米冷阴极电子源阵列。该电子源阵列结构通过刻蚀通孔以及环状顶部环状栅极电极实现分段电极桥接串联,可以在聚焦极和栅极在同一个平面的情形下实现纳米冷阴极电子源行列寻址功能。本发明进一步公开了所述纳米冷阴极电子源阵列的制作方法。本发明的纳米冷阴极电子源阵列制备工艺简单,有较好的聚焦电子束能力以及可寻址发射能力,作为大面积电子源在平板X射线源、场发射显示器等领域有重要的应用前景。
公开/授权文献
- CN107818899A 可行列寻址的共面聚焦纳米冷阴极电子源阵列及制作方法 公开/授权日:2018-03-20