发明授权
- 专利标题： 台阶结构及其形成方法
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申请号： CN201710750398.4申请日： 2017-08-28
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公开(公告)号： CN107644876B公开(公告)日： 2019-01-01
- 发明人: 吕震宇 , 陈俊 , 戴晓望 , 朱继锋 , 陶谦 , 黄郁茹 , 胡思平 , 姚兰 , 肖莉红 , 郑阿曼 , 鲍琨 , 杨号号
- 申请人： 长江存储科技有限责任公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
- 专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
- 代理机构： 北京辰权知识产权代理有限公司
- 代理商 刘广达
- 主分类号： H01L27/11551
- IPC分类号： H01L27/11551 ; H01L27/11578
摘要：
本发明公开了一种台阶结构及其形成方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供衬底，在衬底上形成叠层结构，在叠层结构上形成第一掩膜层；刻蚀第一掩膜层和叠层结构形成各台阶层；在各台阶层上形成着陆垫；去除剩余的第一掩膜层，并形成覆盖各台阶层的覆盖层。本发明中，通过在各台阶层上形成着陆垫，增加了台阶层之间互联部分的厚度，使得即使是很薄的字线需求，通过单张掩膜来形成台阶间的互连亦是可行的。
公开/授权文献
- CN107644876A 台阶结构及其形成方法 公开/授权日：2018-01-30
IPC分类:
