一种半导体装置的制造方法，包含：在介电层的上方，沉积掩模层；图形化掩模层，以形成沟槽；涂覆图形化的光致抗蚀剂，其具有在上述掩模层的上方的部分；以及以图形化的光致抗蚀剂作为蚀刻掩模，蚀刻介电层，在介电层的顶部形成介层窗开口。上述方法还包括移除图形化的光致抗蚀剂；以及蚀刻介电层以形成沟槽与介层窗开口，介层窗开口在沟槽下并连接沟槽，其中使用掩模层作为附加的蚀刻掩模来蚀刻介电层。形成于沟槽与介层窗开口的至少其中之一的聚合物，是使用包含氮与氩的工艺气体而移除。填充沟槽与介层窗开口，分别形成金属线与介层窗。