发明授权
- 专利标题: 半导体器件
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申请号: CN201710264506.7申请日: 2011-09-30
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公开(公告)号: CN107104057B公开(公告)日: 2019-08-13
- 发明人: 金泽孝光 , 秋山悟
- 申请人: 瑞萨电子株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 陈伟; 王娟娟
- 主分类号: H01L21/60
- IPC分类号: H01L21/60 ; H01L21/822 ; H01L27/04 ; H01L25/07 ; H01L25/18 ; H01L25/065
摘要:
提供一种能够提高半导体器件的可靠性的技术。在本发明中,形成在半导体芯片(CHP1)的表面的栅极焊盘(GPj)以相较于其他引线(漏极引线(DL)和栅极引线(GL))更靠近源极引线(SL)的方式配置。其结果为,根据本发明,能够缩短栅极焊盘(GPj)与源极引线(SL)之间的距离,因此,能够缩短连接栅极焊盘(GPj)和源极引线(SL)的导线(Wgj)的长度。由此可知,根据本发明,能够充分地降低存在于导线(Wgj)的寄生电感。
公开/授权文献
- CN107104057A 半导体器件 公开/授权日:2017-08-29
IPC分类: