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发明授权
CN106711161B 红外线影像感测器组件及其制造方法 有权

红外线影像感测器组件及其制造方法
摘要：
本发明揭露一种红外线影像感测器组件及其制造方法。红外线影像感测器组件包含至少一III‑V族化合物层于半导体基板上，其中III‑V族化合物层自图案中曝露的部分作用为主动像素区以探测入射红外线。红外线影像感测器组件包含至少一晶体管耦接至主动像素区，且通过主动像素区产生的电荷被传送至晶体管。
摘要（英）：

A method includes epitaxially growing a first III-V compound layer over a semiconductive substrate. A second III-V compound layer is epitaxially grown over the first III-V compound layer. A source/drain contact is formed over the second III-V compound layer. A gate structure is formed over the second III-V compound layer. A pattern is formed shielding the gate structure and the source/drain contact, in which a portion of the second III-V compound layer is free from coverage by the pattern.

公开/授权文献
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