发明授权
- 专利标题： 半导体装置的制造方法
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申请号： CN201610675875.0申请日： 2016-08-16
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公开(公告)号： CN106469733B公开(公告)日： 2021-12-07
- 发明人: 山本有纪 , 山下朋弘
- 申请人： 瑞萨电子株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人： 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 高培培; 车文
- 优先权： 2015-163136 20150820 JP
- 主分类号： H01L27/11563
- IPC分类号： H01L27/11563 ; H01L27/11573 ; H01L27/11568
摘要：
本发明提供一种能够提高半导体装置的性能的半导体装置的制造方法。在电阻元件形成区域(RR)中，在半导体基板(SB)上形成由硅构成的膜(CF1)，向膜(CF1)离子注入由从第14族元素及第18族元素所构成的组中选择出的至少一种元素形成的杂质，形成由离子注入了杂质的部分的膜(CF1)构成的膜部(CF12)。接下来，在存储器形成区域(MR)中，在半导体基板(SB)上形成内部具有电荷蓄积部的绝缘膜(IFG)，在绝缘膜(IFG)上形成导电膜(CF2)。
公开/授权文献
- CN106469733A 半导体装置的制造方法 公开/授权日：2017-03-01
IPC分类:
